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参数目录41739
> IRF1104PBF MOSFET N-CH 40V 100A TO-220AB
型号:
IRF1104PBF
RoHS:
无铅 / 符合
制造商:
International Rectifier
描述:
MOSFET N-CH 40V 100A TO-220AB
详细参数
数值
产品分类
分离式半导体产品 >> FET - 单
IRF1104PBF PDF
产品目录绘图
IR Hexfet TO-220AB
标准包装
50
系列
HEXFET®
FET 型
MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点
标准
漏极至源极电压(Vdss)
40V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
100A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C
9 毫欧 @ 60A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大)
4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
93nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds
2900pF @ 25V
功率 - 最大
170W
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-220-3
供应商设备封装
TO-220AB
包装
管件
产品目录页面
1518 (CN2011-ZH PDF)
其它名称
*IRF1104PBF
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